Bosannyer ari nih... sejak semalam lagi camnih. Takde 'process' nak dibuat utk GaN laser nih... sejak minggu lepas lagi Ohta san tak siap lagi polishing, so takleh sambung utk n-contact evaporation. Tapi kali pikir balik, kesian gak aa Ohta san buat polishing sengsorang... dahle bosan buat mende tu... asah permukaan GaN substrate tu sampai dari 300micron sampai jadik 100micron... kalu GaAs amik masa 1-3 jam, GaN amik masa satu minggu (kena buat slow sbb nanti crack plak). Nih process paling bermasalah nih... GaN nih keras sgt, rase cam tak bijak aa kalu asah... nak cleave ngan mesa terus tebal sgt la pulok. Aku pikir, kalau etch separuh permukaan GaN tu ok gak, so nanti cleaved region tu can act as a guidance for mesa positioning during laser surface cleaving. Bijak tak idea aku? Tp nak wat camner, Ohta san still nak follow traditional laser process. Aku nyer suggestion tu pun ade masalah gak sebenarnyer... malas nak citer aa, nanti panjang plak citer... org yg bace nih bukannya paham sgt pon ape yg aku citer... takpe la ekk. Bye dulu. Banyak lagi nak tulis utk Panasonic Scholarship Research Plan nih... Wassalam.